99499威尼斯安卓版下载-威尼斯81818app下载

净化工程的温湿度主要是根据什么来确定的

admin 2019-11-27 14:31:20 阅读


净化工程的温湿度主要是根据加工工艺要求来确定,在满足加工工艺的条件下,首选应该考虑(consider)人的舒适感。洁净室装修对象(产品、人及动物)在被加工、处置、治疗、防护及实验等过程中,对其所处环境内玷污物(影响对象的加工、处置、治疗等质量、合格率或成功率的物质)进行控制的技术。随着空气洁净度要求的提高,工艺对温湿度的要求也越来越高,必须达到一定的温湿度等级,对此大家必需承担资金和运营成本。
净化工程具体工艺对温度的要求各有不同,但作为总的原则看,由于加工精度(精确度)越来越精细,所以对温度波动范围的要求越来越小。
例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中,作为掩膜板材料的玻璃与硅(silicon)片的热膨胀(inflate)系数的差要求越来越小。直径100 um的硅片,温度(temperature)上升1度,就引起了0.24um线性膨胀,所以必须有士0.1度的恒温,同时要求湿度值一般较低,因为人出汗以后,对产品将有污染,特别是怕钠(Sodium)的半导体车间,这种净化工程不宜超过25度。
净化工程湿度过高产生的问题更多,相对湿度超过55%时,冷却(cooling)水管壁上会结露,如果发生在精密(precise)装置或电路中,就会引起各种事故。洁净室净化工程化车间竣工验收相关文件:主要材料、设备和调节装置、自动控制系统等出厂合格证书或检验文件;各项工程质量检验评定表;净化车间设计文件、设计变更说明及有关协议、竣工图相对湿度在50%时易生锈。此外,湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面耐难以清除。相对湿度越高,粘附的难去掉,但当相对湿度低于30%时,又由于静电(是一种处于静止状态的电荷)力的作用使粒子也容易吸附于表面,同时大量半导体(semiconductor)器件容易发生击穿。对于硅片生产(Produce)较佳温度(temperature)范围为35—45%。
另外相对湿度有一系列可能(maybe)使净化工程总体表现下降(descend)的因素(factor),其中包括:细菌(fungus)生长、工作人员感到室温舒适的范围出现静电(是一种处于静止状态的电荷)荷(electric charge)、金属腐蚀(释义:指腐烂、消失、侵蚀等)、水汽冷凝、光刻的退化等。
因此湿度控制(control)是净化工程生产必需具备的重要条件,相对湿度是净化工程、洁净室运作过程中一个常用的环境控制条件。洁净室装修对象(产品、人及动物)在被加工、处置、治疗、防护及实验等过程中,对其所处环境内玷污物(影响对象的加工、处置、治疗等质量、合格率或成功率的物质)进行控制的技术。净化工程中的典型的相对湿度的目标值大约控制在30至50%的范围内,允许误差在士1%的狭窄的范围内。

    x
    手机
    电话
    微信
    QQ

    99499威尼斯安卓版下载|威尼斯81818app下载

    XML 地图 | Sitemap 地图